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- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司
- 2014年06月17日
- 蒋容
- 2200.000000
- 2014年06月17日 至 2034年06月17日
- 深圳市市场监督管理局
- 2018年03月07日
- 深圳市南山区高新区科丰路2号特发信息港大厦B栋601-602单元
- 半导体产品、高科技产品的研发与销售及其相关的技术服务；经营进出口业务；自有房屋租赁。^
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 尚阳通 | www.sanrise-tech.com |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105957893A | 屏蔽栅功率MOSFET及其制造方法 | 2016.09.21 | 本发明公开了一种屏蔽栅功率MOSFET，原胞包括：沟槽，形成于外延层中；屏蔽电极，形成于沟槽底部；屏 |
| 2 | CN105957892A | 屏蔽栅功率器件及其制造方法 | 2016.09.21 | 本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，导通区原胞的栅极结构包括：形成于沟槽中的屏蔽电极和沟槽栅电极，屏蔽电 |
| 3 | CN106098750A | 一种超级结终端的设计方法 | 2016.11.09 | 本发明属于超级结技术领域，公开了一种超级结终端的设计方法，用于解决现有技术无法确定P型杂质区域和N型 |
| 4 | CN105977298A | 屏蔽栅功率器件及其制造方法 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，包括：形成于沟槽中的屏蔽电极和沟槽栅电极，屏蔽电极分成底部和顶部屏蔽 |
| 5 | CN105895516A | 具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法，包括步骤：提供一半导体衬底并进行光刻刻蚀形 |
| 6 | CN105810724A | 屏蔽栅功率器件及其制造方法 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，导通区原胞的栅极结构包括：形成于沟槽中的屏蔽电极和沟槽栅电极，屏蔽电 |
| 7 | CN105742185A | 屏蔽栅功率器件及其制造方法 | 2016.07.06 | 本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，导通区元胞包括：形成于第一N型外延层中的屏蔽栅沟槽，沟槽屏蔽栅电极形 |
| 8 | CN105702739A | 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件，原胞的栅极结构中，屏蔽电极由填充于沟槽中的外延层回刻后形 |
| 9 | CN205264709U | 一种超级结器件 | 2016.05.25 | 本实用新型属于超级结技术领域，公开了一种超级结器件，用于解决现有超级结器件存在的软度因子太小导致器件 |
| 10 | CN205177849U | 保护环 | 2016.04.20 | 本实用新型公开了一种保护环，包括衬底、外延层、通孔、至少一多晶硅层和至少一金属层，所述外延层设于衬底 |
| 11 | CN105448961A | 超结器件的终端保护结构 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种超结器件的终端保护结构，电流流动区的超结结构的P和N型柱都呈条形结构且平行，终端保护 |
| 12 | CN105428397A | 超结器件及其制造方法 | 2016.03.23 | 本发明公开了一种超结器件，电荷流动区包括由多个交替排列的N型柱和P型柱组成的超结结构；N型柱的宽度包 |
| 13 | CN105118852A | 超结结构、超结MOSFET及其制造方法 | 2015.12.02 | 本发明公开了一种超结结构，电流流动区由交替排列的P型立柱和N型立柱组成，其P型立柱呈现非均匀的杂质分 |
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